碳化硅制程 丨 氮化镓制程 丨 砷化镓制程
CVD工艺：SiH4、C3H8、H2
EPI工艺：NH3、H2
EPI工艺：H2、AsH3、TMGa、TEGa
ETCH工艺：CF4
IMP工艺：B2H6、PH3
ETCH工艺：CL2、BCL3
SCPW3000N
传感器数显监控，高稳定性、高安全性能、模块化设计、自动化程度高、易维护
类型
等离子体设备
应用工艺
MOCVD、EPI、SIC、SOLAR
设备尺寸
W1450 * D1300 * H2000 （mm）
处理气体
H2、SiH4、CF4、TEOS、PFCs
可处理大容量氢气
400 LPM
SCPW3000H
双火炬头（处理大流量氢气设备）、等离子电极超长使用寿命、等离子体低能耗高效率
类型
等离子体设备
应用工艺
EPI、CVD、DIFF
设备尺寸
W1700 * D900 * H2100 （mm）
处理气体
H2、TEOS、WF6、CF4、PFC Etc.
设备处理量
3000 LPM
Market@snc-semi.com
400-155-0995
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